Koksaldi, Onur S.: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (13)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

[IEEE 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Prague, Czech Republic (2016.6.12-2016.6.16)] 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Quality and reliability of in-situ Al2O3 MOS capacitors for GaN-based power devices

Bisi, Davide, Chan, Silvia H., Tahhan, Maher, Koksaldi, Onur S., Keller, Stacia, Meneghini, Matteo, Meneghesso, Gaudenzio, Zanoni, Enrico, Mishra, Umesh K.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 975 KB

english, 2016

2

Dielectric stress tests and capacitance-voltage analysis to evaluate the effect of post deposition annealing on Al2O3 films deposited on GaN

Yeluri, Ramya, Liu, Xiang, Guidry, Matthew, Koksaldi, Onur S., Lal, Shalini, Kim, Jeonghee, Lu, Jing, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 937 KB

english, 2014

3

Metalorganic chemical vapor deposition and characterization of (Al,Si)O dielectrics for GaN-based devices

Chan, Silvia H., Tahhan, Maher, Liu, Xiang, Bisi, Davide, Gupta, Chirag, Koksaldi, Onur, Li, Haoran, Mates, Tom, DenBaars, Steven P., Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.98 MB

english, 2016

4

Comparing electrical performance of GaN trench-gate MOSFETs with a -plane $(11\bar{2}0)$ and m -plane $(1\bar{1}00)$ sidewall channels

Gupta, Chirag, Chan, Silvia H., Lund, Cory, Agarwal, Anchal, Koksaldi, Onur S., Liu, Junquian, Enatsu, Yuuki, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.68 MB

english, 2016

5

Exploring metalorganic chemical vapor deposition of Si-alloyed Al 2 O 3 dielectrics using disilane

Chan, Silvia H., Keller, Stacia, Koksaldi, Onur S., Gupta, Chirag, DenBaars, Steven P., Mishra, Umesh K.

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 881 KB

english, 2017

6

Compositionally graded InGaN layers grown on vicinal N-face GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Hestroffer, Karine, Lund, Cory, Koksaldi, Onur, Li, Haoran, Schmidt, Gordon, Trippel, Max, Veit, Peter, Bertram, Frank, Lu, Ning, Wang, Qingxiao, Christen, Jürgen, Kim, Moon J., Mishra, Umesh K., Kell

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.89 MB

english, 2017

7

Ge doping of β-Ga 2 O 3 films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Ahmadi, Elaheh, Koksaldi, Onur S., Kaun, Stephen W., Oshima, Yuichi, Short, Dane B., Mishra, Umesh K., Speck, James S.

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.18 MB

english, 2017

8

Demonstration of β-(Al x Ga 1− x ) 2 O 3 /β-Ga 2 O 3 modulation doped field-effect transistors with Ge as dopant grown via plasma-assisted molecular beam epitaxy

Ahmadi, Elaheh, Koksaldi, Onur S., Zheng, Xun, Mates, Tom, Oshima, Yuichi, Mishra, Umesh K., Speck, James S.

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.17 MB

english, 2017

9

[IEEE 2017 75th Device Research Conference (DRC) - South Bend, IN, USA (2017.6.25-2017.6.28)] 2017 75th Annual Device Research Conference (DRC) - 1 kV field plated in-situ oxide, GaN interlayer based vertical trench MOSFET (OG-FET)

Gupta, Chirag, Agarwal, Anchal, Chan, Silvia H., Koksaldi, Onur S., Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 201 KB

english, 2017

10

Maskless regrowth of GaN for trenched devices by MOCVD

Agarwal, Anchal, Koksaldi, Onur, Gupta, Chirag, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.54 MB

english, 2017

11

N-Polar GaN HEMTs Exhibiting Record Breakdown Voltage Over 2000 V and Low Dynamic On-Resistance

Koksaldi, Onur S., Haller, Jeffrey, Li, Haoran, Romanczyk, Brian, Guidry, Matthew, Wienecke, Steven, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 620 KB

english, 2018

12

MOCVD grown epitaxial β-Ga 2 O 3 thin film with an electron mobility of 176 cm 2 /V s at room temperature

Zhang, Yuewei, Alema, Fikadu, Mauze, Akhil, Koksaldi, Onur S., Miller, Ross, Osinsky, Andrei, Speck, James S.

Журнал:

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.62 MB

english, 2019

13

First demonstration of RF N-polar GaN MIS-HEMTs grown on Bulk GaN using PAMBE

Pasayat, Shubhra, Ahmadi, Elaheh, Romanczyk, Brian, Koksaldi, Onur, Agarwal, Anchal, Guidry, Matthew, Gupta, Chirag, Wurm, Christian, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 389 KB

english, 2019